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BZX55B3V3 A0G /
BZX55B3V3 A0G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V

偏差:±2%

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA

电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:1V

不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V

电流,耦合至电压 - 正向(Vf)(最大值)@ If:100mA

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向

供应商器件封装:DO-35

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商BZX55B3V3 A0G
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深圳市芯幂科技有限公司BZX55B3V3 A0G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18898775818,13612825669
廖先生,连敏妹Email:liaominggui@lxbchip.com询价
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BZX55B3V3 A0GDIODE ZENER 3.3V 500MW DO35Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation的LOGO397.17 Kbytes共7页BZX55B3V3 A0G的PDF下载地址
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